Технические детали

• Тип монтажа 55-WFBGA, CSPBGA
• Диэлектрический материал CMOS with Processor
• Крутящий момент - Винт -30°C ~ 70°C (TJ)
• Диаметр - Внутренний 1.7V ~ 1.95V
• Рабочее усилие - Среднее сжатие 1.9µm x 1.9µm
• Размер плунжера 1296H x 976V
• Максимальное переменное напряжение 55-ODCSP (4.65x3.85)
• 120.0