Технические детали

• Диэлектрический материал CMOS with Processor
• Диаметр - Внутренний 2.8V
• Рабочее усилие - Среднее сжатие 1.75µm x 1.75µm
• Размер плунжера 2592H x 1944V
• Максимальное переменное напряжение 66-CSP3 (6.5x6)
• 15.0