Технические детали

• Тип монтажа 66-UFBGA, CSPBGA
• Диэлектрический материал CMOS with Processor
• Крутящий момент - Винт -30°C ~ 70°C
• Диаметр - Внутренний 2.8V
• Рабочее усилие - Среднее сжатие 1.75µm x 1.75µm
• Размер плунжера 2592H x 1922V
• Максимальное переменное напряжение 66-CSP3 (6.5x6)
• 15.0