Технические детали

• Тип монтажа 4-DIP (0.100", 2.54mm)
• Цвет Phototransistor
• Рабочая температура 0.236" (6mm)
• Емкость Reflective
• Количество витков Through Hole
• Кожух 15µs, 15µs
• Суспензия 20 mA
• 30 V
• 50 mA