Технические детали

• Диэлектрический материал CMOS
• Диаметр - Внутренний 1.8V, 2.8V
• Рабочее усилие - Среднее сжатие 2.2µm x 2.2µm
• Размер плунжера 2304H x 1296V
• 60.0